S3030F新品發(fā)布3500V高壓精密源表

導(dǎo)讀：

功率半導(dǎo)體器件(Power Semiconductor Device)是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉(zhuǎn)換和管理等，電壓處理范圍從幾十伏到幾千伏，電流能力*高可達(dá)幾千安培。聯(lián)訊儀器3500V 高壓源表S3030F 設(shè)計(jì)用于高壓電子和功率半導(dǎo)體器件的特性測(cè)試以及其他一些需要高壓和高精度測(cè)量的元器件和材料的表征。

1特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)

S3030F能夠提供*大±3500V、±120mA（直流）、*大10 GΩ電阻測(cè)量范圍及*大180W 功率輸出, 廣泛地應(yīng)用在功率半導(dǎo)體特性，GaN、SiC表征，復(fù)合材料，高壓漏電流等測(cè)試和研究領(lǐng)域

1>高壓大功率

     ±3500V/±120mA（直流）/180W

2>高精度測(cè)量

    測(cè)量分辨率高達(dá)1fA/100uV

3>高速測(cè)量

  *高1M的ADC采樣率

4>支持超大電阻測(cè)量

   *大電阻測(cè)量范圍10GΩ

2高壓源表應(yīng)用舉例

1>SiC MOSFET 漏極截止電流測(cè)試 IDSS

IDSS: 當(dāng)在柵極和源極短路的情況下在漏極與源極之間施加指定電壓時(shí)產(chǎn)生的漏電流

SiC MOSFET IDSS測(cè)試：

短路柵極和源極，利用高壓源表在漏極和源極之間進(jìn)行電壓掃描，如上圖所示，源表設(shè)置掃描電壓從400V開始，按照200V的步進(jìn)掃描到1400V,電壓掃描的同時(shí)源表**測(cè)量IDSS

2> SiC MOSFET 漏源擊穿電壓測(cè)試 V(BR)DSS實(shí)物V (BR)DSS：漏-源擊穿電壓(破壞電壓),在柵極和源極短路的情況下, 流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓

SiC MOSFET V (BR)DSS 測(cè)試：在柵極和源極短路的情況下，利用高壓源表在漏極和源極之間進(jìn)行電流掃描，如上圖所示，利用List掃描功能，掃描電流源輸出20 uA，200 uA,1000 uA,5000 uA,10000 uA，掃描同時(shí)利用高壓源表測(cè)量VDS兩端電壓。